摩尔纹(Moire pattern),是一种典型的光学干涉现象,由于它有良好的放大效应,因此被广泛应用于纳米级半导体制造中。摩尔纹纳米半导体制造技术采用经济、灵活的方法,可以在不到一万美元的成本内获得高达0.1纳米级别的精度
摩尔纹技术可以帮助加工厂商节约大量的制造成本,并为半导体制造商提供了更灵活和直接的途径,以满足不断变化的市场需求。它极大地推动了计算机、科技和通信的发展和普及。
摩尔纹技术已经被广泛应用于芯片设计、柔性电子、显示器制造等领域。2019年,中芯国际推出了全球首款采用摩尔纹技术的10纳米级FinFET工艺,标志着我国摩尔纹技术进入了世界领先水平。